一、设备维护计划非计划维护区别？
设备维护的计划指的是对相关设备进行维护的具体安排，也就是说对设备进行维护的具体时间和方式。设备维护计划包含了设备维护的具体时间、周期以及维护方式和人员等等。
非计划维护指的是不定期对其进行维护的行为，也就是说不定时对其采取维护措施的行为。
非计划维护是没有计划进行维护，该维护方式可能是临时的，也可能是不定期的。
二、半导体的电阻率分类？
半导体电阻率
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间：室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。
基本信息
晶向
电阻率与晶向有关。
对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。
特别的，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。
载流子
电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。
对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。
温度
决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。
在低温下
由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
在室温下
由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。
在高温下
这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。
本征激发温度
半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度（因为在该温度下，pn结即不再存在）；该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也就越高。所以，若要求半导体器件的温度稳定性越高，其掺杂浓度就应该越大。
三、静电非导体电阻率标准？
静电非导体，是指体电阻率在1*10جة8تΩ·cm以上，能在其上积聚足够大的静电电荷并引起各种静 电现象的材料。 静电非导体
四、国家标准导体电阻率？
国际电线的电阻取决于电线的规格与温度，不同的规格或不同的温度，国际电线的电阻都不一样。
0.75平方毫米绞合铜导体的20摄氏度的导体电阻是26欧/千米；
1.0平方毫米绞合铜导体的20摄氏度的导体电阻是19.5欧/千米；
五、n型半导体电阻率公式？
1.电阻率与晶向有关。
对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。
特别的，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。
2.电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。
对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。
3.决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。
六、导体材料的体积电阻率范围？
体积电阻率表示材料单位体积对电流的阻抗。
体积电阻率以平行材料中电流方向的电位梯度电流密度之比，用欧姆·厘米[欧姆·米]表示。
常用的金属导电材料可分为：金属元素、合金（铜合金、铝合金等）、复合金属以及不以导电为主要功能的其他特殊用途的导电材料4类:①金属元素（按电导率大小排列）有：银（Ag）、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、 钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)。
七、测定导体的电阻率的原理？
长度还有横截面积,用伏安法和控制变量法测出电阻再作比较就能看出电阻率与各因素的关系.
测定导体电阻率的主要步骤
1、用刻度尺测量连入电路的导体长度L,用螺旋测微器测量金属丝的直径d.
2、将导体、安培表、电键、电源串联接入电路，将电压表并联在导体两端，滑动变阻器用于分压接入电路。
3、用伏安法测量导体电阻 R=U/I
4、代入 R=4ρL/πd^2 计算电阻率。
八、铜导体电阻率国家标准？
在20°C时 铜的电阻率是1.7X10-8 欧米。
电阻公式： R=p*l/s(p—电阻率查表求；l—电阻长度；s—与电流垂直的电阻截面面积)。铜的电阻率p=0.01851 Ω·mm2/m,这是常温下得，但是电阻率随温度变化会有一些差异。
金属的电阻和它的长度（L表示，单位：米）、截面积（用S表示吧！单位：平方米）、温度等有关系。理论上，均匀金属物质的电阻（R表示，单位：欧姆）为：R= ρ L/S
九、半导体电阻率怎么看？
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间: 室温时约在1mΩ·cm~1GΩ·cm之间(上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的;因上角标暂不可用，暂用当前方法描述)。半导体的电导率是电阻率的倒数。
十、半导体的电阻率主要分类？
半导体电阻率
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间：室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。
基本信息
晶向
电阻率与晶向有关。
对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。
特别的，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。
载流子
电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。
对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。
温度
决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。
在低温下
由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
在室温下
由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。
在高温下
这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。
本征激发温度
半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度（因为在该温度下，pn结即不再存在）；该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也就越高。所以，若要求半导体器件的温度稳定性越高，其掺杂浓度就应该越大。