一、pn结伏安特性实验误差分析？
实验操作时会使试验温度发生改变，影响实验结果。
数字式电压表的示数不稳定也会产生误差。
在U1-T实验中，U2的示数不能一直指在1V上，也会产生误差。
实验操作时会使试验温度发生改变，影响实验结果。 数字式电压表的示数不稳定也会产生误差。 在U1-T实验中，U2的示数不能一直指在1V上，也会产生误差。
二、pn结 饱和电流 温度特性？
1、正向导通，反向截止。当正向电压达到一定值时（硅管0.7伏，锗管0.3伏）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的。
2、有两种载流子，即电子和空穴。
3、受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度，因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。
正向偏置时，空间电荷区缩小，削弱内电场，外电场增大到一定值以后，扩散电流显著增加，形成明显的正向电流，PN结导通。
反向偏置时，空间电荷区拓展，加强内电场，扩散运动大大减弱，少子的漂移运动增强并占优势。然而常温下掺杂半导体的少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。
温度一定时，少子浓度一定，PN结反向电流几乎与外加反向电压无关，所以又称为反向饱和电流。
三、pn结整流特性？
PN结整流特性是指当半导体材料中PN结被正向或反向偏置时，所表现出的电流流动特性。1. 正向偏置特性：当PN结被正向偏置时，即在P区加正电压而在N区加负电压，此时PN结会变薄，使得载流子能通过结层进行流动。在正向偏置下，当正电压增大时，PN结就会开始导通，电流呈指数增长。正向偏置时，PN结的电流主要由少数载流子贡献，即电子从N区向P区注入，同时空穴从P区向N区注入，导致电流的流动。而且，正向偏置情况下，PN结的阻抗很小，相对来说电流容易流动。2. 反向偏置特性：当PN结被反向偏置时，即在P区加负电压而在N区加正电压，此时PN结会变厚，使得空间电荷区增宽，从而阻止了载流子的流动。在反向偏置下，PN结的电流非常小，可以近似看作是截止状态。当反向偏压增大到一定程度时，PN结会发生击穿现象，电流急剧增大，这是因为击穿时电子与空穴可以通过空穴-电子对产生电子对（电离）的方式流动形成电流。总结：PN结的正向偏置特性表现为低阻抗通过电流，反向偏置特性表现为截止电流，直到达到一定电压会发生击穿。这种特性使得PN结在电子学和电力电子等领域中广泛应用，例如用于整流、开关、放大器等电路中。
四、PN结具有什么特性？
pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。
比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。
五、pn结反向恢复特性？
理想的二极管在承受反向电压时截止，不会有反向电流通过。而实际二极管正向导通时，PN结内的电荷被积累，当二极管承受反向电压时，PN结内积累的电荷将释放并形成一个反向恢复电流，它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。
反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。
因此，输出整流二极管的反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。
可以通过在二极管两端并联RC缓冲器，以抑制其反向恢复噪声.
六、pn结正向特性研究原理？
PN结作为最基本的核心半导体器件,得到了广泛的应用,构成了整个半导体产业
的基础。在常见的电路中,可作为整流管、稳压管;在传感器方面,能够作为温度传
感器、光敏二极管等等。因此,研究和掌握PN结的特性具有非常重要的意义。
单向导电性是PN结最基本的特性。本实验经过测量正向电流和正向压降的关系,研究PN结的正向特性:由可调微电流源输出一个稳定的正向电流,测量不同温度下的PN结正向电压值,以此来分析PN结正向压降的温度特性。经过这个实验能够测量出波
尔兹曼常数,估算半导体材料的禁带宽度,以及估算一般难以直接测量的极微小的PN结反向饱和电流;学习到很多半导体物理的知识,掌握PN结温度传感器的原理。
七、pn结电压温度系数？
温度升高时，pn结的正向电流增大、正向压降降低，即正向电流具有正的温度系数，正向压降具有负的温度系数；这主要是由于pn结的势垒高度降低所造成的结果。并且反向电流随着温度的升高也增大，这主要是由于两边少数载流子浓度增大的结果。
击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。
八、pn结的重要特性是什么？
结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。
拓展资料
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
九、pn结伏安特性公式怎么用？
pn结方程叫伏安特性方程I=Is*（e^U/Ut-1）Is为反向饱和电流（漏电流）U导通电压Ut温度当量。室温取26mv
十、pn结物理特性测定误差来源？
pn结实验误差的原因有温度变化、仪器稳定性等原因导致相对误差偏大。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（